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FQP630 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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FQP630参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 25V 功率 - 最大值：78W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 评估板 - 传感器AG003-01E 箱C6KH,BK 陶瓷电容器RDER72J332K2M1C11A 单二极管/整流器STTA2006PI Card EdgeECC70DCAH 接口 - 调制解调SI2435-A-FT 矩形- 接头，公引B2P-VH-GZ 固定式DR124-151-R 专用 ICBH6039KN-E2 加速计MMA2201DR2 |
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