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FQP630 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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FQP630参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 25V 功率 - 最大值：78W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面RG3216N-4643-W-T1 控制器 - 处理，OMD00001 晶体管(BJT) BC328BU D-SubA7SSG-1510G 断连开关元件OPMRH Card EdgeGMC12DRTS-S93 嵌入式 - 微控制MC9328MX1DVM20 套管，索环R7L2-C 逻辑 - 触发器CD74HCT173M96G4 钽电容器T494X337M010AT |
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